EUV芯片生产技术的竞赛正在全球范围内首演，日前，三星宣告早已试产基于EUV技术的7nm芯片，并正在研究如何提高其生产能力，加快辅助性的IP和EDA基础架构，细化PCB能力。三星的这次宣告毫无疑问是在对标台积电，为了追上台积电芯片设计生态的进程，后者于本月初曾爆出过类似于的消息。三星声称他们正在对基于16GbitDRAM芯片的256GByteRDIMM采样，为带上Xilinx嵌入式FPGA的固态硬盘作好打算。

7nm是这次通告的亮点，标志着EUV掩模检测系统内部研发的一次里程碑式的进展。与10nm节点比起，7LPP工艺可以增加40%的面积同时提升20%的速度，或减少50%的功耗。

另外，三星回应他们享有还包括Ansys、Arm、Cadence（不具备7nm的数字与仿真流程）、Mentor、Synopsys和VeriSilicon在内的50个Foundry代工伙伴，早已中举生产量7mn工艺的芯片。据传这一工艺更有了众多网站巨头、网络公司以及手机厂商的客户，不过，三星预计在明年初之前会向客户启动时公告。

三星Foundry市场总监BobStear认为，自今年初以来，坐落于韩国华城的Fab工厂S3产线的EUV系统能持续反对250-W光源，这个功率水平使生产量符合了需求量，即1,500个晶片/天。此后，EUV系统超过了280W的峰值，而三星的目标是300W。EUV技术使传统氟化氩系统所需的掩模数量增加了五分之一，从而提升了芯片产量。

不过，节点在前段制程的基础层中仍必须展开一些多重曝光。为了加快EUV投放到生产，三星研发了自己的系统来较为和修缮预期和实际的掩模曝光。

VLSI研究员G.DanHutcheson将这个系统叙述成一个掩模检查系统，因为目前尚能不确切它否像典型的第三方检测系统那样自动化。7nm节点将在年底超过Grade1AEC-Q100汽车标准。

在PCB方面，三星正在研发一款RDL放入器，能将多达8个HBM填充加装在一个设备上，同时，三星还在研发一种将无源器件映射基板的工艺，为了给数据中心的芯片节省出有空间。

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